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资料
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品类: 双极性晶体管描述: STMICROELECTRONICS 2ST2121 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 25 MHz, 250 W, -17 A, 80 hFE60065+¥14.139550+¥13.5352200+¥13.1968500+¥13.11221000+¥13.02762500+¥12.93105000+¥12.87057500+¥12.8101
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品类: MOS管描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIST16811+¥631.526910+¥609.368150+¥606.5982100+¥603.8284150+¥599.3966250+¥595.5188500+¥591.64101000+¥587.2093
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品类: 功率二极管描述: 广颖电整流器 SILICON POWER RECTIFIER48951+¥235.839710+¥229.687450+¥224.9706100+¥223.3299200+¥222.0995500+¥220.45891000+¥219.43352000+¥218.4081
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品类: 功率二极管描述: 广颖电整流器 Silicon Power Rectifier86611+¥112.320510+¥107.4370100+¥106.5580250+¥105.8743500+¥104.79991000+¥104.31162500+¥103.62795000+¥103.0419
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品类: 功率二极管描述: 广颖电整流器 Silicon Power Rectifier55001+¥176.085710+¥171.492250+¥167.9704100+¥166.7455200+¥165.8268500+¥164.60191000+¥163.83632000+¥163.0707
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品类: 肖特基二极管描述: DD 系列,Infineon **Infineon** PowerBLOCK 双二极管(**DD 系列**)整流器二极管模块具有如下配置:快速二极管和整流器二极管。 压力触点技术整流器二极管模块的范围为 20mm 直到 60mm,电压范围高达 1800V,电流最大 600A。 PowerBLOCK 整流器二极管具有电气绝缘基座,其包含隔离的铜基板。 它们可用于电源控制器、软启动器和驱动应用。 PowerBLOCK 外壳 易于安装 压力触点技术 故障保护/故障时短路 - 防止故障时出现电弧 ### 二极管和整流器,Infineon25021+¥514.884910+¥501.453150+¥491.1554100+¥487.5736200+¥484.8873500+¥481.30551000+¥479.06682000+¥476.8282
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品类: 功率二极管描述: 广颖电整流器 Silicon Power Rectifier76171+¥140.288510+¥136.628850+¥133.8230100+¥132.8471200+¥132.1152500+¥131.13931000+¥130.52932000+¥129.9194
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品类: 功率二极管描述: 广颖电整流器 Silicon Power Rectifier12121+¥363.807110+¥354.316550+¥347.0403100+¥344.5095200+¥342.6114500+¥340.08061000+¥338.49882000+¥336.9170
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 105V 3Pin H-36265-2 Tray61971+¥525.685710+¥511.972250+¥501.4584100+¥497.8015200+¥495.0588500+¥491.40191000+¥489.11632000+¥486.8307
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 FP15R12KE3G -25861+¥442.372810+¥430.832650+¥421.9852100+¥418.9078200+¥416.5998500+¥413.52241000+¥411.59902000+¥409.6757
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品类: 双极性晶体管描述: TO-5 PNP 200V 1A77451+¥3226.767510+¥3197.433325+¥3182.766150+¥3168.0990100+¥3153.4319150+¥3138.7648250+¥3124.0976500+¥3109.4305
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品类: 双极性晶体管描述: Trans RF BJT NPN 20V 21A 3Pin(3+Tab) SOT-439A Bulk11451+¥746.843610+¥720.638650+¥717.3630100+¥714.0873150+¥708.8463250+¥704.2605500+¥699.67461000+¥694.4336
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品类: 双极性晶体管描述: A类, AB类微波功率型硅NPN晶体管0.7 W, 960至1215兆赫, 18V Class A, Class AB Microwave Power Silicon NPN Transistor 0.7 W, 960-1215 MHz, 18V11431+¥417.485710+¥406.594750+¥398.2450100+¥395.3408200+¥393.1626500+¥390.25831000+¥388.44322000+¥386.6280
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET,IXYS CoolMOS™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备89991+¥257.935810+¥251.207050+¥246.0483100+¥244.2540200+¥242.9082500+¥241.11391000+¥239.99242000+¥238.8710
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品类: 双极性晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR MJ15022G 单晶体管 双极, 音频, NPN, 200 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 60 hFE51101+¥41.815510+¥39.4163100+¥37.6340250+¥37.3598500+¥37.08561000+¥36.77712500+¥36.50295000+¥36.3315
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品类: 双极性晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR MJ14002G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 300 W, 1 mA, 100 hFE73541+¥104.228010+¥99.6963100+¥98.8806250+¥98.2462500+¥97.24921000+¥96.79602500+¥96.16165000+¥95.6178
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品类: 双极性晶体管描述: 互补颖电TRANSITORS COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS35521+¥64.302310+¥61.5065100+¥61.0033250+¥60.6119500+¥59.99681000+¥59.71722500+¥59.32585000+¥58.9903
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FF1000R17IE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 1 kA, Vce=1700 V, 10引脚 PrimePACK3封装78461+¥4446.332010+¥4405.910825+¥4385.700250+¥4365.4896100+¥4345.2790150+¥4325.0684250+¥4304.8578500+¥4284.6472